Mae'r dull cemegol yn gyntaf yn ocsideiddio graffit i graffit ocsid trwy adwaith ocsideiddio, ac yn cynyddu'r bylchau rhwng haenau trwy gyflwyno grwpiau swyddogaethol sy'n cynnwys ocsigen ar yr atomau carbon rhwng yr haenau graffit, gan wanhau'r rhyngweithio rhwng haenau.

Ocsidiad cyffredin

Mae'r dulliau'n cynnwys dull Brodie, dull Staudenmaier a dull Hummers [40].Yr egwyddor yw trin y graffit ag asid cryf yn gyntaf,

Yna ychwanegwch ocsidydd cryf ar gyfer ocsideiddio.

Mae'r graffit ocsidiedig yn cael ei dynnu gan ultrasonic i ffurfio graphene ocsid, ac yna'n cael ei leihau trwy ychwanegu asiant lleihau i gael graphene.

Mae asiantau lleihau cyffredin yn cynnwys hydrazine hydrate, NaBH4 a gostyngiad ultrasonic alcali cryf.Mae NaBH4 yn ddrud ac yn hawdd i'w gadw elfen B,

Er bod y gostyngiad ultrasonic alcali cryf yn syml ac yn gyfeillgar i'r amgylchedd, mae'n anodd ei leihau *, a bydd nifer fawr o grwpiau swyddogaethol ocsigenedig yn aros ar ôl lleihau,

Felly, mae hydrazine hydrad rhatach fel arfer yn cael ei ddefnyddio i leihau graffit ocsid.Mantais gostyngiad hydrazine hydrate yw bod gan hydrazine hydrate allu lleihau cryf ac mae'n hawdd ei anweddoli, felly ni fydd unrhyw amhureddau ar ôl yn y cynnyrch.Yn y broses leihau, mae swm priodol o ddŵr amonia fel arfer yn cael ei ychwanegu i wella gallu lleihau hydrasin hydrad,

Ar y llaw arall, gall wneud i arwynebau graphene wrthyrru ei gilydd oherwydd taliadau negyddol, a thrwy hynny leihau crynhoad graphene.

Gellir gwireddu paratoi graphene ar raddfa fawr trwy ddull ocsideiddio a lleihau cemegol, ac mae gan y cynnyrch canolradd graphene ocsid wasgariad da mewn dŵr,

Mae'n hawdd addasu a gweithredu graphene, felly defnyddir y dull hwn yn aml wrth ymchwilio i ddeunyddiau cyfansawdd a storio ynni.Ond oherwydd ocsidiad

Mae absenoldeb rhai atomau carbon yn y broses ultrasonic a gweddillion grwpiau swyddogaethol sy'n cynnwys ocsigen yn y broses leihau yn aml yn gwneud i'r graphene a gynhyrchir gynnwys mwy o ddiffygion, sy'n lleihau ei ddargludedd, gan gyfyngu ar ei gymhwysiad ym maes graphene gyda gofynion ansawdd uchel. .